和彩彩票
当前页面:首页 >新闻中心新闻中心

变频器谐波的来源及计算方式

  是工业调速领域中应用最广泛的设备之一,它将工频50HZ变换成各种频率的交流电源,以实现电机的变速运行。变频器完成交-直-交变换,由整流、逆变电路、控制电路组成,其中整流输入部分及逆变输出部分主要由非线性电力组成,在变频器运行时,会在输入输出侧产生大量谐波。下面通意达()小编为大家介绍变频器谐波产生的原因及治理办法

  变频器的主电路一般为交一直一交组成,外部输入380V/50Hz的工频电源经三相桥路不可控整流成直流电压,经电容滤波及大功率晶体管开关元件逆变为频率可变的交流电压。在整流回路中,输入电流的波形为不规则的矩形波,波形按傅立叶级数分解为基波和各次谐波,谐波次数通常为6n±1次高次谐波,其中的高次谐波将干扰输入供电系统。如果电源侧电抗充分小、换流重叠角“可以忽略,那么n次高次谐波为基波电流的1/n。

  在逆变输出回路中,输出电流信号是受PWM载波信号调制的脉冲波形。对于GTR大功率逆变元件,其PWM的载波频率为2-3kHz,而IGBT大功率逆变元件的PWM最高载频可达15kHz。同样,输出回路电流信号也可分解为只含基波和其他各次谐波。

  治理变频器谐波问题,抑制辐射干扰和供电系统干扰,可采取屏蔽、隔离、接地等技术手段。

  在变频器输入侧与输出侧串接合适的电抗器,吸收谐波和增大电源或负载的阻抗,达到抑制谐波的目的,以减少传输过程中的电磁辐射。 通过抑制谐波电流,将功率因数由原来的(0.5-0.6)提高至(0.75-0.85);

  将变频系统的供电电源与其他设备的供电电源相互独立,或在变频器和其他用电设备的输入侧安装隔离变压器,切断谐波电流;

  正确的接地既可以使系统有效地抑制外来干扰,又能降低设备本身对外界的干扰。变频器使用专用接地线,且用粗短线接地,邻近其他电器设备的地线必须与变频器配线分开,使用短线,这样能有效抑制电流谐波对邻近设备的辐射干扰;

  缩短线路长度,电源线和信号线单独敷设,避免交叉,不能避免时,必须垂直交叉,绝对不能平等敷设,信号线屏蔽层不接到电机或变频器的地,而应该接到控制线、安装EMI电源滤波器

  当前抑制变频器谐波的一个重要趋势是采用EMI电源滤波器,它串联或是并联于主电路中,实时从补偿对象中检测出变频器返回搜狐,查看更多

  文章出处:【微信号:gkongbbs,微信公众号:工控论坛】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

  ABB ACS800变频器直流母线欠电压故障维修原因:根据说明书上的介绍导致此种故障的原理是直流回路的直流电压不足,其故障的...

  返璞归真:SPI(串行外围接口) 几十年来使用的三种最常见的多线串行数据 传输 格式是I 2 C,U....

  几十年来使用的三种最常见的多线串行数据传输格式是I 2 C,UART和SPI。本文着眼于串行外设接口(SPI)总线

  对变频器而言,随着温度升高,其故障率成指数上升,使用寿命成指数的下降。因此,该如何正确的处理变频器热....

  在工业调速传动范畴中,与传统的机械调速比照,用变频电源调速有许多利益,运用十分广泛,但由于变频电源逆....

  在电压或电流特性不是线性的电气或电子设备或电路中,即流过它的电流与施加的电压不成比例。与设备关联的交变波形或多或少会与理...

  模拟量输出基本上都是在工控应用这一方面控制工业现场的执行设备,比如控制阀门的开度,控制变频器的调速等....

  常用变频器在运用中,是不是能满意传动体系的央求,变频器的参数设置非常首要,假定参数设置禁绝确,会致使....

  用电环节:用电系统中谐波主要是由非线性负载引起,由于正弦电压加压于非线性负载,基波电流发生畸变产生谐....

  断变压器出现的过电压按照截流过电压形成的理论,当断开变压器时,变压器电感中的电流不能突变、其中存储的....

  许多变频器的输入端设备电抗器,一方面是为了减小谐波电流发射,另一方面可以进步变频器抗浪涌搅扰的特性。

  变频器过电压毛病保护是变频器基地直流电压抵达风险程度后采纳的保护办法,这是变频器规划上的一大缺点,在....

  随着包装机械自动化的提高,变频器在包装机械中的作用越来越重要。胶囊充填机、高速压片机、瓶装生产线、....

  因为过电压发作的要素纷歧样,因而采纳的对策也纷歧样。关于在泊车进程中发作的过电压景象,假定对泊车时刻....

  变频器辅助控制方式虽然有诸多优点,但如果控制回路布线不合理往往会给变频器的正常运行带来不利影响,甚至....

  在选用变频器调速或节能时,应当遵照以下十条准则,作为挑选计划的条件。本地电费报价高的,在相同节省用电....

  安川变频器过热保护解析 主要有以下几点: ⑴风扇运转保护 变频器的内装风扇是箱体内部散热的主要手段,它将保证控制电路...

  依据对变频器常见故障产“性频次和关机時间统计分析,主电源电路的返修率占百分之60之上:运作主要参数....

  伟肯变频器NX系列故障代码维修 NX产品特点: 1. 覆盖低压交流范围的产品系列 电压等级208V—690V 功率范围0.25KW...

  多参数患者监护仪、产妇和新生儿护理监视器、麻醉给药系统、透析器、输液泵、呼吸机 和外科手术设备都是需....

  当变频器股动电动机处于制动状况时(发电状况),比方吊车吊重物降低,或惯性很大的负载比照敏捷地泊车。动....

  根据负载特性挑选变频器,如负载为恒转矩负载需挑选siemens MMV/MDV 变频器,如负载为风机....

  现实生活中有些人总是把变频器看做是节电器,把节电器当做是变频器。为了避免这种情况的再次出现,所以今天....

  消防巡检柜运用很多的场景,只要有消防泵控制柜的地方那么就会有它的存在,它的功能非常的强大,对消防水泵....

  在变频器安装时为了给控制回路和主回路端子间连接电缆,需要卸下端子外罩。下面以欧姆龙3G3RV变频器为....

  通常变频器控制即可由操作面板来完成,也可通过外部输入控制信号来实现,但是现在越来越多的场合需要对变频....

  使用变频器应注意的七大问题是什么呢?这就是本期我们要为大家讲解的相关问题了,关于这个问题的详细阐述就....

  国产变频器维护时的注意事项有哪些呢?这就是本期我们要为大家讲解的相关问题了,关于这个问题的答案就在下....

  关于变频器的相关知识我们也讲了不少了,那么接下来我们再为大家讲述一下变频器过载跳闸的原因及处理方法吧....

  关于变频器的相关知识我们着实讲了不少了,那么接下来我们再为大家讲解一下导致变频器主板故障的原因,请看....

  变频器过热的本身原因及检修方法有以下几点。参数设置问题。例如加速时间太短,PID调节器的比例P、积分....

  变频器调试步骤有哪些呢?这就是本期我们要为大家讲的相关问题了,请看下面的具体讲述吧:

  致使变频器发生短路故障的原因是什么呢?这就是本期我们要为大家讲的相关问题了,请看下面的具体讲述吧:

  ABB变频器维修型号大全 ACS550-01-072A-4模块炸坏修理快

  ABB变频器维修故障大全; 故障现象:上电后控制盘上显示:TEMP(4210)。 故障原因:变频器的IGBT温...

  如何延长变频器使用寿命? 这就是本期我们呢要为大家讲的相关问题了,请看下面的具体阐述吧:

  变频器维修行业发展前景是怎样的呢?相信大家对于这个问题也是比较的感兴趣,那么接下来我们再为大家讲述一....

  本文档的主要内容详细介绍的是IPE100系列工程型变频器的使用说明书免费下载。

  变频器输出频率范围的设定,亦就是变频器输出频率的上、下限位值,其设置的目的是为了防止误操作或外界频率....

  变频器通信故障主要集中在硬件接线错误、通信卡失常、EMC干扰、通信协议出错、总线软件配置出错等。

  ABB变频器维修方法需要掌握得当,因为变频器由多种部件组成,其中某些部件经长期工作后其性能会逐渐降低....

  变频器是以半导体元件为中心而构成的静止机器。为了防止由于温度,潮湿,灰尘,污垢和振动等使用环境的影响....

  变频器的过电流跳闸又分短路故障、运行过程中跳闸和升、降速过程中跳闸等情况。

  变频器驱动电路出现故障时,有什么样的故障表现呢?具体的故障原因有哪些呢?电工之家就变频器驱动电路的故....

  欧姆龙变频器中过电流维护的目标首要指带有骤变性质的、电流的峰值超过了欧姆龙变频器的容许值的景象。因为....

  变频器驱动电路、保护信号检测及处理电路、脉冲发生及信号处理电路等控制电路称为辅助电路。辅助电路发生....

  如果要让变频器进入程序控制的多段速运行状态,首先要将变频器进行设置,使其工作在该状态,然后对相关参数进行设置,并启动设备...

  该电路不算是一款很经典的开关电源电路,但并不意味着它是一款性能不好的电路,在实际运行中它的故障率并不....

  三菱变频器目前在市场上用量最多的就是A700系列,以及E700系列,A700系列为通用型变频器,适合....

  挑选过高的电压等级构成出资过高,回收期长。电压等级的跋涉,电机的绝缘有必要跋涉,使电机报价添加。电压....

  目前,变频器的应用已由常见的风机、水泵等拓展到食品、饮料、物流、楼宇等,不断开阔新的节能领域,其功....

  当我们在变频器维修过程中检测出故障以后,我们应该如何进行变频器维修故障判断呢?通常情况有以下几点:

  一、外接主电路结构 变频器的外接主电路如图1所示。三相交流电源经断路器QF、交流接触器KM与变频器的电源输入端R、S、T连...

  电动机拖动的生产机械,有时根据加工产品工艺的要求,需要先后以不同的转速运行,即多段速运行。传统技术是采用齿轮换挡的方法,...

  三菱变频器常见故障分析 E.UVT故障欠压保护。故障描述:如果变频器的电源电压下降,控制回路可能不能发挥正常功能。或引起电机...

  CU04是采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS无缓冲逆变器。它实现了类似于等效双极肖特基TTL的高速操作,同时保持CMOS低功耗。 输入可承受高达7V的电压,允许5V系统与3V系统的接口。 特性 高速:t PD = 3.5ns(典型值)在V CC = 5V 低功耗:I CC =2μA(Max),T A = 25 C 高抗噪性:V NIH = V NIL = 10%V CC (Min。) 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 专为2V至5.5V工作范围而设计 低噪音:V OLP = 0.8V(最大) 引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容 闩锁性能超过300mA ESD性能:HBM

  2000V;机器型号

  200V 芯片复杂性:12个FET或3个等效门 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  04 MiniGateTM是一款先进的CMOS高速反相缓冲器,占用空间极小。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT04输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:tPD = 3.8 ns(典型值) )@ VCC = 5.0 V 低功耗:在TA = 25 C时ICC = 1uA(Max) TTL兼容输入:VIL = 0.8 V; VIH = 2.0 V CMOS兼容输出: VOH

  U04是单个无缓冲变频器,工作电压范围为1.65-5.5 V,采用非常流行的SC70 / SC88a / SOT-353封装或1.6 x 1.6 X.6 mm SOT553封装。 特性 微小的SOT-353和SOT-553封装 源/汇+ + - 16 mA,4.5 VV CC 过压容差输入和输出 带有NC7SZU04P5X,TC7SZU04FU和TC7SZU04AFE的引脚引脚 芯片复杂性:FETs = 20 设计用于1.65 V至5.5 VV CC 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图

  3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...

  Broadcom光纤(FO)短链路是一种经济高效的半导体产品,可在单个PCB上提供12 kV瞬态电流隔离。 FO Short Link基于650 nm光纤技术,适用于逆变器/驱动器,电力电子或医疗设备等应用。 FO Short Link产品提供爬电距离和间隙距离,最小值为18.1 mm。此外,HFBR-3810MSZ器件提供金属屏蔽选项,可提供更高的EMI和ESD抗扰度。 特性 金属屏蔽选项,可提供更高的EMI和ESD抗扰度 信号速率为DC至10MBaud的数据传输 具有CMOS / TTL输出的直流耦合接收器,易于设计;无需数据编码或数字化电路 高抗噪性 符合IEC 60664-1的瞬态电压抑制高达12kV 激光等级1,根据IEC-60825:修订2001 符合RoHS标准 应用 变频器/驱动器 电力电子 医疗/ X光设备 电隔离...

  Broadcom光纤(FO)短链路是一种经济高效的半导体产品,可在单个PCB上提供12 kV瞬态电流隔离。 FO Short Link基于650 nm光纤技术,适用于逆变器/驱动器,电力电子或医疗设备等应用。 HFBR-3810Z和HFBR-3810MSZ器件提供爬电距离和间隙距离,最小值为18.1 mm。 功能 信号速率为DC至10MBaud的数据传输 具有CMOS / TTL输出的直流耦合接收器,易于设计;无需数据编码或数字化电路 高抗噪性 符合IEC 60664-1的瞬态电压抑制高达12kV 激光等级1,根据IEC-60825:修订2001 符合RoHS标准 应用 变频器/驱动器 电力电子 医疗/ X光设备 电隔离...

  HMC339 GaAs MMIC次谐波混频器芯片,33 - 42 GHz

  和特点 集成LO放大器: +2 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 37 dB 裸片尺寸: 1.32 x 0.81 0.1 mm 产品详情 HMC339芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.07mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需+2 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统 方框图...

  HMC337 GaAs MMIC次谐波混频器芯片,17 - 25 GHz

  和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 25 dB 芯片尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC337芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2 LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-5 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统方框图...

  HMC338LC3B 次谐波混频器,采用SMT封装,24 - 34 GHz

  和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO DC - 3 GHz带宽IF 符合RoHS标准的3x3 mm SMT封装 单正电源: +4V (31mA) 产品详情 HMC338LC3B是一款集成LO放大器的24 - 34 GHz次谐波(x2) MMIC混频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 在30 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V到+4V)设计,需-5 dBm的标称驱动。 RF和LO端口为隔直端口并匹配50 Ω,使用方便,同时IF的工作频率范围为DC至3 GHz。 HMC338LC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途 SATCOM方框图...

  HMC-MDB218 次谐波I/Q混频器/IRM芯片,54 - 64 GHz

  和特点 宽IF带宽: DC - 3 GHz RF频率: 54至64 GHz LO频率 27至32 GHz 高镜像抑制: 30 dB 无源;无需直流偏置 裸片尺寸: 1.54 x 1.41 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB218是一款次谐波(x2)MMIC混频器,可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用,外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB218次谐波IRM可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 卫星通信 军用雷达、ECM和EW 传感器 测试和测量设备 方框图...

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 40 dB 小尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC264芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器,可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 应用 微波点对点无线电 LMDS  SATCOM方框图...

  和特点 无源: 无需直流偏置 高输入IP3: 13 dBm 高LO/RF隔离: 30 dB 高2LO/RF隔离: 50 dB 宽IF带宽: DC - 12 GHz 上变频和下变频应用 裸片尺寸: 1.74 x 1.73 x 0.1 mm 产品详情 HMC1057是一款次谐波MMIC混频器,可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 针对下变频应用,外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短途/高容量无线电 测试设备和传感器 军用最终用途 E波段通信系统 汽车雷达 方框图...

  HMC264LC3B 次谐波混频器,采用SMT封装,21 - 31 GHz

  和特点 集成LO放大器:-4至+4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 30 dB DC - 6 GHz带宽IF 符合RoHS标准的3x3 mm SMT封装 产品详情 HMC264LC3B是一款集成LO放大器的21 - 31 GHz次谐波(x2) MMIC混频器,采用无引脚“无铅”SMT封装。 在30 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4至+4 dBm的驱动。 RF和LO端口为隔直端口并匹配50 Ω,使用方便,同时IF的工作频率范围为DC至6 GHz。 HMC264LC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。 应用 点对点无线电 点对多点无线电和VSAT 测试设备和传感器 军用最终用途 方框图...

  和特点 无源: 无需直流偏置 低LO功率: 9 dBm 高LO/RF隔离: 28 dB 高2LO/RF隔离: 43 dB 宽IF带宽: DC至12 GHz 上变频和下变频应用 裸片尺寸: 1.15 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC1058是一款次谐波MMIC混频器。 它可用作上变频器或下变频器,IF端口频率范围为DC至12 GHz,RF端口频率范围为71 GHz至86 GHz。 此款无源MMIC混频器采用GaAs Shottky二极管技术制造。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 E波段通信系统 测试设备和传感器 军用最终用途 汽车雷达 方框图...

  HMC264LM3 次谐波混频器,采用SMT封装,20 - 30 GHz

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 35 dB LM3 SMT封装产品详情 HMC264LM3是一款集成LO放大器的20 - 30 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 在25至35 dB时,2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的驱动。 所有数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC264LM3即无需线焊,从而为客户提供一致的接口。 应用 20和30 GHz微波无线电 上下变频器 点对点无线电 LMDS和SATCOM 方框图...

  HMC338-DIE GaAs MMIC次谐波混频器芯片,26 - 33 GHz

  和特点 集成LO放大器: -5 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2 LO/RF隔离: 33 dB 裸片尺寸: 1.32 x 0.97 x 0.1 mm 产品详情 HMC338芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC通用混频器,可在26至33 GHz的频率范围中用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.28mm²。 2 LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-5 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 应用 通用应用 26和33 GHz微波无线电 针对点对点无线电应用的上下变频器 卫星通信系统 方框图...

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 集成IF放大器: 增益:3 dB 小尺寸: 1.32 x 1.32 x 0.1 mm 产品详情 HMC265芯片是一款集成LO和IF放大器的次谐波(x2) MMIC下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术,芯片整体面积为1.74 mm²。 2LO至RF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (12 mils)的焊线连接。 此下变频器IC对基于混合型二极管的下变频器MMIC组件是更小、更可靠的极佳替代品。 应用 微波点对点无线电 LMDS  SATCOM方框图...

  HMC1093 GaAs MMIC次谐波混频器,37 - 46.5 GHz

  和特点 次谐波 (x4) LO 低LO功率: -1 dBm 高4LO/RF隔离: 20 dB 宽IF带宽: DC至7.5 GHz 下变频应用 裸片尺寸: 1.45 X 3.85 X 0.1 mm 产品详情 HMC1093芯片是一款集成LO放大器的次谐波 (x4) MMIC混频器。 HMC1093芯片非常适合用作下变频器,RF端口为37至46.5 GHz,IF端口范围为DC至7.5 GHz。 HMC1093利用GaAs PHEMT技术,提供20 dB的4LO至RF出色隔离性能,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V)两级设计,所需LO功率仅为-1 dBm。 RF和LO端口为隔直端口并匹配至50 Ohms,使用方便。 此处显示的所有数据均采用50 Ohm测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度小于0.31 mm (12 mils)的焊线 GHz微波无线 GHz微波无线电 军用最终用途方框图...

  和特点 高精度;支持IEC 62053-21、IEC 62053-22、IEC 62053-23、EN 50470-1、EN 50470-3、ANSI C12.20和IEEE1459标准 支持IEC 61000-4-7 I类和II类精度规格 兼容三相三线或三相四线(三角形或星形)及其它三相配置 测量所有相位上2.8 KHz通带范围内所有谐波的rms/有功/无功/视在功率、功率因数、THD+N和谐波失真 测量零线 KHz通带范围内所有谐波的有效值和谐波失线的动态范围内谐波电流和电压有效值、谐波有功和无功功率的误差小于1% 测量各相及整个系统的总(基波和谐波)有功/视在功率和基波有功/无功功率 TA = 25°C时,在1000:1的动态范围内有功和基波无功功率误差小于0.1% TA = 25°C时,在5000:1的动态范围内有功和基波无功功率误差小于0.2% 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADE7880是一款高精度、三相电能计量IC,采用串行接口,并提供三路灵活的脉冲输出。该器件内置多个二阶Σ-Δ型模数转换器(ADC)、数字积分器、基准电压源电路及所有必需的信号处理电路,实现总(基波和谐波)有功/视在功率测量和有效值计算,以及基波有功/无功功率测量。此外,ADE7880可...

  HMC265LM3 次谐波混频器,采用SMT封装,20 - 31 GHz

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 28 dB LM3 SMT封装 产品详情 HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器下变频器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 在28至47 dB时,2LO至RF和IF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的驱动。 所有数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC265LM3即无需线焊,从而为客户提供一致的接口。 应用 20和31 GHz微波无线电 点对点无线电下变频器 LMDS 和SATCOM方框图...


和彩彩票



页面版权所有 © 2016 和彩彩票 工厂/公司地址:广州市广从一路龙归路段永兴工业区

电话:020-87470526、87470285 传真:020-87470261 E-mail:yihua@yihua-gz.com   网站地图